Nghiên cứu các đặc trưng cơ học và tính chất điện tử của đơn lớp Janus GeSiTe2 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tác giả: Võ Thị Tuyết Vi, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu
Số trang:
Tr. 85-93
Số phát hành:
Số 3(70)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí điện tử
Nơi lưu trữ:
CSDL điện tử
Mã phân loại:
530.01
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Vật liệu Janus hai chiều, cấu trúc tinh thể dị hướng, tỉ số Poisson âm, lý thuyết phiếm hàm mật độ, lớp Janus GeSiTe2
Chủ đề:
Vật liệu hai chiều
Tóm tắt:
Vật liệu Janus hai chiều, cấu trúc tinh thể dị hướng, tỉ số Poisson âm, lý thuyết phiếm hàm mật độ, lớp Janus GeSiTe2
Tạp chí liên quan
- Weak two-scale convergence in L2 for a two-dimensional case = Hội tụ hai-kích thước yếu trong L2 cho một trường hợp hai chiều
- Strong two-scale convergence for a two-dimensional case = Hội tụ hai-kích thước mạnh cho một trường hợp hai chiều
- Transition nodal basis functions in p-adaptive finte element methods = Hàm nút cơ sở chuyển giao dùng trong phương pháp phần tử hữu hạn thích nghi loại p
- Compare transient stress induced in in-air and in-water laser ablation using simulation method = So sánh ứng suất tức thời sinh ra trong quá trình phá hủy bằng tia laser trong không khí và trong nước bằng phương pháp mô phỏng
- h-adaptive refinement strategies for triangular finite element meshes = Các thuật toán làm mịn h-thích nghi cho lưới phần tử hữu hạn tam giác





