Nghiên cứu các đặc trưng cơ học và tính chất điện tử của đơn lớp Janus GeSiTe2 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tác giả: Võ Thị Tuyết Vi, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu
Số trang:
Tr. 85-93
Số phát hành:
Số 3(70)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí điện tử
Nơi lưu trữ:
CSDL điện tử
Mã phân loại:
530.01
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Vật liệu Janus hai chiều, cấu trúc tinh thể dị hướng, tỉ số Poisson âm, lý thuyết phiếm hàm mật độ, lớp Janus GeSiTe2
Chủ đề:
Vật liệu hai chiều
Tóm tắt:
Vật liệu Janus hai chiều, cấu trúc tinh thể dị hướng, tỉ số Poisson âm, lý thuyết phiếm hàm mật độ, lớp Janus GeSiTe2
Tạp chí liên quan
- Nghiên cứu lan truyền ô nhiễm không khí do hoạt động dòng xe tại nút giao Giảng Võ - Láng Hạ - Đê La Thành
- Nghiên cứu cơ chế hấp phụ và tán xạ Raman tăng cường bề mặt của formaldehyde
- Ảnh hưởng của áp suất đến tần số Einstein, nhiệt độ Einstein và hệ số Debye-Waller phổ EXAFS của kim loại kẽm
- Ảnh hưởng của kích thước đến nhiệt độ nóng chảy và nhiệt độ Debye của các hạt nano Ni
- Mô phỏng Particle-in-Cell cho phương pháp sử dụng các tia điện nhằm giảm dòng nhiệt tới bề mặt kim loại





