Nghiên cứu các đặc trưng cơ học và tính chất điện tử của đơn lớp Janus GeSiTe2 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tác giả: Võ Thị Tuyết Vi, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu
Số trang:
Tr. 85-93
Số phát hành:
Số 3(70)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí điện tử
Nơi lưu trữ:
CSDL điện tử
Mã phân loại:
530.01
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Vật liệu Janus hai chiều, cấu trúc tinh thể dị hướng, tỉ số Poisson âm, lý thuyết phiếm hàm mật độ, lớp Janus GeSiTe2
Chủ đề:
Vật liệu hai chiều
Tóm tắt:
Vật liệu Janus hai chiều, cấu trúc tinh thể dị hướng, tỉ số Poisson âm, lý thuyết phiếm hàm mật độ, lớp Janus GeSiTe2
Tạp chí liên quan
- Ảnh hưởng của bức xạ gamma đến tính chất quang của chấm lượng tử CdSe
- Ảnh hưởng của độ dày lớp điện môi lên trạng thái ngưng tụ exciton trong cấu trúc graphene hai lớp
- Đánh giá tình hình nhiễm vi khuẩn Escherichia Coli, Salmonellas spp. trên thịt lợn tại một số chợ trọng điểm trên địa bàn thành phố Quy Nhơn, tỉnh Bình Định
- Efficient, column-chromatography-free synthesis of Dipterocarpol succinate oxime ester salts
- Nodal basis functions in p-adaptive finte element methods



