CSDL Bài trích Báo - Tạp chí
chủ đề: Vật liệu hai chiều
1 Nghiên cứu các đặc trưng cấu trúc và tính chất điện tử của đơn lớp hai chiều MgAlGaS4 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ / Nguyễn Phạm Quỳnh Anh, Nguyễn Quang Cường, Trần Đình Thịnh, Nguyễn Ngọc Hiếu // .- 2026 .- Số 02(75) .- Tr. 17-24 .- 540
Phân tích cấu trúc tinh thể, độ bền của cấu trúc cũng như khả năng chế tạo nó bằng thực nghiệm. Các tính toán về các tính chất điện tử sẽ giúp chúng ta hiểu sâu hơn về vật liệu này cũng như triển vọng ứng dụng nó vào trong các lĩnh vực khác nhau của công nghệ.
2 Ảnh hưởng của hiệu ứng tương tác spin-orbit lên các tính chất điện tử và độ linh động của hạt tải trong đơn lớp Janus SiGeSe2 / Nguyễn Phạm Quỳnh Anh // Khoa học & Công nghệ Đại học Duy Tân .- 2025 .- Số 02(69) .- Tr. 82-92 .- 530
Sử dụng phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ để nghiên cứu các tính chất vật lý của đơn lớp Janus SiGeSe2, bao gồm các đặc trưng cấu trúc, tính chất cơ học, tính chất điện tử và độ linh động hạt tải. Ảnh hưởng của hiệu ứng tương tác spin-orbit lên các đặc trưng điện tử của Janus SiGeSe2 cũng đã được nghiên cứu và thảo luận trong bài báo này.
3 Nghiên cứu các đặc trưng cơ học và tính chất điện tử của đơn lớp Janus GeSiTe2 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ / Võ Thị Tuyết Vi, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu // .- 2025 .- Số 3(70) .- Tr. 85-93 .- 530.01
Vật liệu Janus hai chiều, cấu trúc tinh thể dị hướng, tỉ số Poisson âm, lý thuyết phiếm hàm mật độ, lớp Janus GeSiTe2