CSDL Bài trích Báo - Tạp chí
. Incorporation of Nitrogen-related species on Ga-rich GaN (0001) surfaces = Cơ chế hấp thụ của các hợp chất Nitơ trên bề mặt giàu Ga của GaN (0001)
Tác giả: Bui Kieu My
Số trang:
P. 176-181
Số phát hành:
Số 04(65)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
540
Ngôn ngữ:
Tiếng Anh
Từ khóa:
Gallium Nitride, epitaxial growth, first principle simulation
Chủ đề:
Chemistry
Tóm tắt:
We present features in the incorporation of Nitrogen-related species on the Ga-rich GaN (0001) surface based on firstprinciples total energy calculations. We find that the N adatom spontaneously substitutes for the Ga adatom upon adsorption and forms 4-fold N structure. Surprisingly, this substitutional adsorption does not have any activation energy. Also, we find that NH2 and NH units intervene in the Ga-Ga weak bonds and form - Ga - (NHx) - Ga - structure during the adsorption. This finding gives an insight into the fate of ammonia species during adsorption on the Ga-rich GaN (0001) surface.
Tạp chí liên quan
- Nguy cơ ô nhiễm không khí trong nhà và đề xuất giải pháp thiết kế công trình đảm bảo chất lượng không khí theo tiêu chuẩn Việt Nam
- Sử dụng chỉ thị sinh học rêu Barbula Indica trong đánh giá nguồn phát thải gây ô nhiễm kim loại nặng trong không khí tại thành phố Hải Phòng
- Nghiên cứu xây dựng hệ thống thông số, chỉ thị, chỉ số đánh giá kết quả đạt mục tiêu các quy hoạch ngành tài nguyên và môi trường
- Từ kinh nghiệm quốc tế đề xuất giải pháp chính sách khuyến khích thiết kế, chế tạo thiết bị chuyên dùng cho hoạt động điều tra cơ bản tài nguyên và môi trường
- Kinh nghiệm phát triển công trình xanh trên thế giới và đề xuất giải pháp phát triển ở Việt Nam nhằm đáp ứng mục tiêu giảm phát thải khí nhà kính