CSDL Bài trích Báo - Tạp chí
Incorporation of Nitrogen-related species on Ga-rich GaN (0001) surfaces = Cơ chế hấp thụ của các hợp chất Nitơ trên bề mặt giàu Ga của GaN (0001)
Tác giả: Bui Kieu My
Số trang:
P. 176-181
Số phát hành:
Số 04(65)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
540
Ngôn ngữ:
Tiếng Anh
Từ khóa:
Gallium Nitride, epitaxial growth, first principle simulation
Chủ đề:
Chemistry
Tóm tắt:
We present features in the incorporation of Nitrogen-related species on the Ga-rich GaN (0001) surface based on firstprinciples total energy calculations. We find that the N adatom spontaneously substitutes for the Ga adatom upon adsorption and forms 4-fold N structure. Surprisingly, this substitutional adsorption does not have any activation energy. Also, we find that NH2 and NH units intervene in the Ga-Ga weak bonds and form - Ga - (NHx) - Ga - structure during the adsorption. This finding gives an insight into the fate of ammonia species during adsorption on the Ga-rich GaN (0001) surface.
Tạp chí liên quan
- Weak two-scale convergence in L2 for a two-dimensional case = Hội tụ hai-kích thước yếu trong L2 cho một trường hợp hai chiều
- Strong two-scale convergence for a two-dimensional case = Hội tụ hai-kích thước mạnh cho một trường hợp hai chiều
- Transition nodal basis functions in p-adaptive finte element methods = Hàm nút cơ sở chuyển giao dùng trong phương pháp phần tử hữu hạn thích nghi loại p
- Compare transient stress induced in in-air and in-water laser ablation using simulation method = So sánh ứng suất tức thời sinh ra trong quá trình phá hủy bằng tia laser trong không khí và trong nước bằng phương pháp mô phỏng
- h-adaptive refinement strategies for triangular finite element meshes = Các thuật toán làm mịn h-thích nghi cho lưới phần tử hữu hạn tam giác