Tóm tắt:

Trong nghiên cứu này, cấu trúc CdS/ZnO xốp trật tự 3 chiều được chế tạo theo phương pháp khuôn cứng: Đầu tiên những quả cầu polystyrene (PS) được lắng đọng trên đế dẫn ITO (oxit thiếc indi), sau đó vật liệu ZnO được điền đầy vào những khe hở giữa những hạt cầu sử dụng phương pháp lắng đọng điện hóa, tiếp theo các hạt cầu PS được loại bỏ bởi nhiệt độ tại 500oC để hình thành cấu trúc xốp trật tự 2 chiều. Cuối cùng, các hạt nano CdS được lắng đọng trên bề mặt của ZnO theo phương pháp hóa ướt để hình thành cấu trúc CdS/ZnO xốp trật tự 3 chiều. Thuộc tính quang điện hóa tách nước của những cấu trúc chế tạo được nghiên cứu và so sánh một cách có hệ thống.