CSDL Bài trích Báo - Tạp chí
Mô hình phi tuyến tính của transistor lưỡng cực
Tác giả: Nguyễn Sỹ Hồng Đức, Kulikov I.V., Vakhtin V.E., Nguyễn Tiến Dũng
Số trang:
Tr. 41-43
Số phát hành:
Số (277+278) - Tháng (3+4)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
621
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Điện tử, thiết kế máy tính, toán học, dòng điện
Chủ đề:
Khoa học Máy tính
Tóm tắt:
Bài báo trình bày vài mô hình chính của transistor lưỡng cực để nghiên cứu nó trong môi trường phần mềm máy tính hiện đại, sơ đồ mạch và đặc điểm làm việc của mỗi loại mô hình.
Tạp chí liên quan
- Nâng cao hiệu quả nhận dạng các tham số dao động dựa trên kỹ thuật tách nguồn mù
- Thăng giáng exciton ngưng tụ của hệ điện tử - lỗ trống mất cân bằng khối lượng
- Nghiên cứu số về phương pháp bias điện áp sử dụng trong giảm dòng nhiệt thông tới bề mặt kim loại
- Numerical study on sheath formation near materials using Particle-In-Cell simulation = Nghiên cứu số về sự hình thành lớp vỏ bọc điện thế gần bề mặt kim loại sử dụng phương pháp mô phỏng Particle-In-Cell
- Port-Hamiltonian modelling of two kinds of electrical circuits = Mô hình hóa Hamilton của hai kiểu mạch điện