Tóm tắt:

Trình bày nghiên cứu ảnh hưởng của vật liệu đế α-SiO2 đến khả năng hấp thụ khí CO của graphene bằng tính toán mô phỏng lý thuyết phiếm hàm mật độ. Kết quả cho thấy sự hấp thụ khí CO trên bề mặt graphene là hấp thụ vật lý điển hình. Các thuộc tính hấp thụ của khí CO trên graphene tự do và trên G/α-SiO2 như năng lượng hấp thụ, khoảng cách hấp thụ, độ dài đáp ứng đã được tính toán chi tiết. Kết quả cũng cho thấy α-SiO2 là vật liệu đế có thể sử dụng để làm tăng năng lượng hấp thụ của CO trên graphene. Sử dụng đế α-SiO2 làm tăng độ nhạy đối với CO của graphene, tuy giá trị tăng nhỏ, nhưng điều này có ý nghĩa đối với sự lựa chọn vật liệu đế cho graphene khi thiết kế các linh kiện dùng làm cảm biến khí độc CO.