CSDL sách
- Transport correlation and structural defects : advances in disordered semiconductors
- Tác giả: Hellmut Fritzsche
- Số Tập:Volume 3
- Nhà xuất bản: World Scientific - Singapore
- Năm xuất bản: 1990
- Số trang:305 p.
- Kích thước:24 cm
- Số đăng ký cá biệt:26575
- ISBN:9971-50-973-3
- Mã Dewey:537.622
- Đơn giá:0
- Vị trí lưu trữ:Tồn kho (03 Quang Trung)
- Ngôn ngữ:English
- Loại tài liệu:Sách Tham Khảo
- Đang rỗi/ Tổng sách:10/10
- Từ khóa:Transport, Correlation, Structural Defects
- Chủ đề: Semiconductor
- Chuyên ngành: Khoa Học Tự Nhiên
- Tóm tắt: Structure and defects, transport and recombination.
Sách cùng chuyên ngành
- Các thế giới song song : du hành qua sáng thế, các chiều không gian bậc cao và tương lai của vũ trụ
- Đời sống bí ẩn của cây : chúng cảm thấy gì, chúng giao tiếp thế nào, những phát hiện từ thế giới bí mật
- Tần số rung động : quyền năng tiến hóa của linh hồn
- The identification of dark matter : proceedings of the 6th International workshop, Rhodes, Greece, 11-16 september 2006
- Selected papers of Richard Feynman : with commentary