Thiết kế và mô phỏng hoạt động của vi chấp hành nhiệt điện silicon-polymer
Tác giả: Chử Đức Trình, Nguyễn Ngọc Việt, Đặng Văn Hiếu
Số trang:
Tr.24-31
Tên tạp chí:
Khoa học Công nghệ Việt Nam
Số phát hành:
Số 4(2) tháng 2
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
662.6
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Phân tích phần tử hữu hạn, phương pháp Maxwell-Mohr, vi chấp hành nhiệt điện, vi kẹp
Chủ đề:
Mô phỏng
&
Phân tích phần tử hữu hạn
Tóm tắt:
Trình bày về thiết kế và mô phỏng hoạt động của vi chấp hành nhiệt điện silicon-polymer với kích thước nhỏ; điện áp hoạt động thấp; lực và độ dịch chuyển đầu ra lớn; tương thích với quy trình chế tạo CMOS. Hoạt động của cấu trúc được phân tích dựa trên lý thuyết cơ học cổ điển và phương pháp mô hình hóa phần tử hữu hạn.
Tạp chí liên quan
- Tổng hợp copolyme cấu trúc liên hợp poly(3-hexylthiophene-random-benzoyl dithieno[3,2-b:2’,3’-d]pyrrole) bằng phương pháp điện hóa
- Cấu trúc nano xốp trật tự 3 chiều CdS/ZnO cho hiệu suất cao trong ứng dụng quang điện hóa tách nước
- Ứng dụng Số phức giải toán chứng minh trong Hình học phẳng
- Nghiên cứu ứng dụng mô hình hóa toán học thông qua giảng dạy môn học hình họa và vẽ kỹ thuật
- Ảnh hưởng của tỉ lệ Na/Al đến tính chất quang của ion Eu3+ trong thủy tinh x.Na2O-(25-x).Al2O3-75SiO2-0.5Eu2O3