Thiết kế và mô phỏng hoạt động của vi chấp hành nhiệt điện silicon-polymer
Tác giả: Chử Đức Trình, Nguyễn Ngọc Việt, Đặng Văn Hiếu
Số trang:
Tr.24-31
Tên tạp chí:
Khoa học Công nghệ Việt Nam
Số phát hành:
Số 4(2) tháng 2
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
662.6
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Phân tích phần tử hữu hạn, phương pháp Maxwell-Mohr, vi chấp hành nhiệt điện, vi kẹp
Chủ đề:
Mô phỏng
&
Phân tích phần tử hữu hạn
Tóm tắt:
Trình bày về thiết kế và mô phỏng hoạt động của vi chấp hành nhiệt điện silicon-polymer với kích thước nhỏ; điện áp hoạt động thấp; lực và độ dịch chuyển đầu ra lớn; tương thích với quy trình chế tạo CMOS. Hoạt động của cấu trúc được phân tích dựa trên lý thuyết cơ học cổ điển và phương pháp mô hình hóa phần tử hữu hạn.
Tạp chí liên quan
- Ảnh hưởng của bức xạ gamma đến tính chất quang của chấm lượng tử CdSe
- Ảnh hưởng của độ dày lớp điện môi lên trạng thái ngưng tụ exciton trong cấu trúc graphene hai lớp
- Đánh giá tình hình nhiễm vi khuẩn Escherichia Coli, Salmonellas spp. trên thịt lợn tại một số chợ trọng điểm trên địa bàn thành phố Quy Nhơn, tỉnh Bình Định
- Efficient, column-chromatography-free synthesis of Dipterocarpol succinate oxime ester salts
- Protective effects of methanolic extract of Bauhinia vahlii L. in sepsis rats induced by cecal ligation and puncture





