Thiết kế và mô phỏng hoạt động của vi chấp hành nhiệt điện silicon-polymer
Tác giả: Chử Đức Trình, Nguyễn Ngọc Việt, Đặng Văn Hiếu
Số trang:
Tr.24-31
Tên tạp chí:
Khoa học Công nghệ Việt Nam
Số phát hành:
Số 4(2) tháng 2
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
662.6
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Phân tích phần tử hữu hạn, phương pháp Maxwell-Mohr, vi chấp hành nhiệt điện, vi kẹp
Chủ đề:
Mô phỏng
&
Phân tích phần tử hữu hạn
Tóm tắt:
Trình bày về thiết kế và mô phỏng hoạt động của vi chấp hành nhiệt điện silicon-polymer với kích thước nhỏ; điện áp hoạt động thấp; lực và độ dịch chuyển đầu ra lớn; tương thích với quy trình chế tạo CMOS. Hoạt động của cấu trúc được phân tích dựa trên lý thuyết cơ học cổ điển và phương pháp mô hình hóa phần tử hữu hạn.
Tạp chí liên quan
- Đặc điểm lâm sàng và cận lâm sàng bệnh tay chân miệng có biến chứng viêm não ở trẻ em tại Bệnh viện Nhi Trung ương
- Đặc điểm vi sinh và kết quả điều trị bệnh nhân viêm phúc mạc thứ phát do thủng tạng rỗng tại Bệnh viện Trung ương Quân đội 108
- Lâm sàng, cận lâm sàng ở người bệnh nhồi máu não cấp có đái tháo đường tuýp 2
- Một số đặc điểm lâm sàng, cận lâm sàng và hình ảnh chụp cắt lớp vi tính bệnh nhân chấn thương sọ não nặng được phẫu thuật mở nắp sọ giảm áp
- Đánh giá hiệu quả và an toàn điều trị bệnh lý giác mạc dải băng bằng laser excimer





