Phân tích tĩnh tấm FGM trên nền đàn hồi sử dụng phần tử hữu hạn trơn CS-DSG3
Tác giả: Lương Văn Hải, Đặng Trung Hậu
Số trang:
Tr. 129-132
Tên tạp chí:
Xây dựng
Số phát hành:
Số 09/2014
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
624
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Tấm FGM, đàn hồi, phần tử hữu hạn trơn CS-DSG3.
Chủ đề:
Kỹ thuật Xây dựng
Tóm tắt:
Phương pháp phần tử hữu hạn trơn CS-DSG3 đã được phát triển và áp dụng để phân tích ứng xử của nhiều kết cấu khác nhau như tấm, vỏ, tấm gia cường, tấm trên nền…Trong bài báo này, phương phương CS-DSG3 tiếp tục được mở rộng và áp dụng phân tích ứng xử tĩnh học cho kết cấu tấm FGM đặt trên nền đàn hồi chịu tải trọng phân bố, trong đó tính chất vật liệu của tấm được giả định là hàm lũy thừa theo chiều dày của tấm và phụ thuộc vào tỉ lệ thể tích của các vật liệu cấu thành…
Tạp chí liên quan
- Giải pháp giảm nhiễu cho các tín hiệu mới trong các hệ thống định vị sử dụng vệ tinh
- Ảnh hưởng của cường độ bê tông đến ứng xử cắt của dầm cao bê tông sợi thép
- Phân tích tĩnh tấm FGM có vi bọt rỗng trên nền đàn hồi dưới tác dụng tải trọng cơ học, nhiệt độ và độ ẩm theo lý thuyết biến dạng cắt bậc nhất
- Phân tích dao động của tấm Sandwich Nano Graphene đàn hồi-điện-từ đặt trên nền đàn hồi Winkler-Pasternak
- Đặc điểm cường độ đất yếu gia cố bằng các loại tro xỉ khác nhau