Nghiên cứu các đặc trưng cấu trúc và tính chất điện tử của đơn lớp hai chiều MgAlGaS4 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tác giả: Nguyễn Phạm Quỳnh Anh, Nguyễn Quang Cường, Trần Đình Thịnh, Nguyễn Ngọc Hiếu
Số trang:
Tr. 17-24
Số phát hành:
Số 02(75)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
540
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Vật liệu hai chiều, tính chất điện tử, lý thuyết phiếm hàm mật độ
Chủ đề:
Hóa lý
&
Vật liệu hai chiều
Tóm tắt:
Phân tích cấu trúc tinh thể, độ bền của cấu trúc cũng như khả năng chế tạo nó bằng thực nghiệm. Các tính toán về các tính chất điện tử sẽ giúp chúng ta hiểu sâu hơn về vật liệu này cũng như triển vọng ứng dụng nó vào trong các lĩnh vực khác nhau của công nghệ.
Tạp chí liên quan
- Tổng hợp thủy tinh xAl2O3 ˗ (100-x)SiO2 (x = 5, 10, 15, 20) pha tạp CuO bằng phương pháp sol-gel
- Optical properties of Nitrogen and Sulfur doped Graphene quantum dots = Tính chất quang của các chấm lượng tử Graphene pha tạp Nitơ và Lưu huỳnh
- Ảnh hưởng của áp suất đến tần số Einstein, nhiệt độ Einstein và hệ số Debye-Waller phổ EXAFS của kim loại kẽm
- Ảnh hưởng của kích thước đến nhiệt độ nóng chảy và nhiệt độ Debye của các hạt nano Ni
- Mô phỏng Particle-in-Cell cho phương pháp sử dụng các tia điện nhằm giảm dòng nhiệt tới bề mặt kim loại





