Nghiên cứu các đặc trưng cấu trúc và tính chất điện tử của đơn lớp hai chiều MgAlGaS4 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tác giả: Nguyễn Phạm Quỳnh Anh, Nguyễn Quang Cường, Trần Đình Thịnh, Nguyễn Ngọc Hiếu
Số trang:
Tr. 17-24
Số phát hành:
Số 02(75)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
540
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Vật liệu hai chiều, tính chất điện tử, lý thuyết phiếm hàm mật độ
Chủ đề:
Hóa lý
&
Vật liệu hai chiều
Tóm tắt:
Phân tích cấu trúc tinh thể, độ bền của cấu trúc cũng như khả năng chế tạo nó bằng thực nghiệm. Các tính toán về các tính chất điện tử sẽ giúp chúng ta hiểu sâu hơn về vật liệu này cũng như triển vọng ứng dụng nó vào trong các lĩnh vực khác nhau của công nghệ.
Tạp chí liên quan
- Bước đầu khảo sát đặc điểm biến thể xoang tĩnh mạch sọ não trên MRI ở bệnh nhân đau đầu mạn tính
- Độ sâu xâm lấn trên cộng hưởng từ và tình trạng di căn hạch cổ ở ung thư lưỡi
- U thận chứa mỡ ở trẻ em: Báo cáo ca bệnh u quái thận nguyên phát và u nguyên bào thận dạng quái
- Đánh giá độ dày xương và mô mềm khẩu cái trên phim CBCT (Cone-Beam Computed Tomography)
- Nhận thức về vi-rút HPV của sinh viên y dược: Từ những hiểu lầm về phòng bệnh đến sự thiếu hụt kiến thức ở nam giới





