Nghiên cứu các đặc trưng cấu trúc và tính chất điện tử của đơn lớp hai chiều MgAlGaS4 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tác giả: Nguyễn Phạm Quỳnh Anh, Nguyễn Quang Cường, Trần Đình Thịnh, Nguyễn Ngọc Hiếu
Số trang:
Tr. 17-24
Số phát hành:
Số 02(75)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
540
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Vật liệu hai chiều, tính chất điện tử, lý thuyết phiếm hàm mật độ
Chủ đề:
Hóa lý
&
Vật liệu hai chiều
Tóm tắt:
Phân tích cấu trúc tinh thể, độ bền của cấu trúc cũng như khả năng chế tạo nó bằng thực nghiệm. Các tính toán về các tính chất điện tử sẽ giúp chúng ta hiểu sâu hơn về vật liệu này cũng như triển vọng ứng dụng nó vào trong các lĩnh vực khác nhau của công nghệ.
Tạp chí liên quan
- Kết hợp phương pháp phân ngưỡng và Graphcut trong phân tích ảnh y khoa để hỗ trợ chẩn đoán
- Tổng quan thành phần hóa học của tinh dầu và hoạt tính sinh học
- Hoạt tính sinh học tiêu biểu và ứng dụng thực tiễn của một số loài thực vật thuộc chi Viễn chí (Polygala)
- Ảnh hưởng của biến dạng trục lên tính chất quang của đơn lớp GeS
- Mô phỏng sự phát triển của tảo xanh trên bề mặt vữa xi măng bằng phương pháp học máy





