Nghiên cứu các đặc trưng cấu trúc và tính chất điện tử của đơn lớp hai chiều MgAlGaS4 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tác giả: Nguyễn Phạm Quỳnh Anh, Nguyễn Quang Cường, Trần Đình Thịnh, Nguyễn Ngọc Hiếu
Số trang:
Tr. 17-24
Số phát hành:
Số 02(75)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
540
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Vật liệu hai chiều, tính chất điện tử, lý thuyết phiếm hàm mật độ
Chủ đề:
Hóa lý
&
Vật liệu hai chiều
Tóm tắt:
Phân tích cấu trúc tinh thể, độ bền của cấu trúc cũng như khả năng chế tạo nó bằng thực nghiệm. Các tính toán về các tính chất điện tử sẽ giúp chúng ta hiểu sâu hơn về vật liệu này cũng như triển vọng ứng dụng nó vào trong các lĩnh vực khác nhau của công nghệ.
Tạp chí liên quan
- Phân tích áp lực hô hấp trên các sai hình xương sọ mặt khác nhau
- Kích thước lỗ cằm và lỗ cằm phụ trên phim CBCT ở người trưởng thành từ 18 - 30 tuổi tại Hà Nội
- Hình thái, kích thước lỗ lưỡi giữa và lỗ lưỡi bên xương hàm dưới trên phim CBCT ở người trung niên 45 - 59 tuổi
- Phân tích tin sinh học về biểu hiện, tiên lượng và ý nghĩa sinh học của FOS trong ung thư vú
- Khảo sát phổ biến thể gen gây bệnh ở nhóm người bệnh chậm phát triển tâm thần nặng bằng giải trình tự hệ gen mã hóa