Tóm tắt:

Ảnh hưởng của bức xạ gamma năng lượng cao với nhiều liều lượng khác nhau (0 -10 kGy) từ nguồn 60Co lên tính chất quang của chấm lượng tử CdSe được tiến hành nghiên cứu bằng các phương pháp quang phổ. Chấm lượng tử CdSe và CdSe/CdS lõi/vỏ này được chế tạo bằng phương pháp hóa ướt có cấu trúc zinc blende kích thước 3.9 nm và 4.4 nm, tương ứng.