CSDL Bài trích Báo - Tạp chí
Ảnh hưởng của mất trật tự chéo lên hàm cảm ứng spin trong bán dẫn từ pha loãng
Tác giả: Nguyễn Hữu Nhã, Phan Văn Nhâm
Số trang:
Tr. 105-111
Số phát hành:
Số 05(48)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
530
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Hàm cảm ứng spin, bán dẫn từ pha loãng, lý thuyết trường trung bình động
Chủ đề:
Vật lý--Lượng tử
Tóm tắt:
Giới thiệu mô hình và lý thuyết trường trung bình động; trình bày kết quả tính toán giải tích cho hàm cảm ứng spin tĩnh.
Tạp chí liên quan
- Ứng dụng công nghệ tích hợp SONIC - IOT - AI trong phát hiện rò rỉ trên mạng lưới cấp nước
- Nghiên cứu tác động của phát triển nhà cao tầng đến năng lực khai thác hệ thống giao thông đô thị tại TP. Hồ Chí Minh
- Đường sắt tốc độ cao và mô hình TOD: Động lực phát triển đô thị thông minh định hướng từ Nghị định 269/2025/NĐ-CP về phát triển đô thị thông minh
- Ứng dụng mảng một chiều và kỹ thuật ma trận thưa để lập trình xử lý số liệu lưới khống chế trắc địa số lượng điểm lớn
- Cơ sở dữ liệu nền tảng của hệ thống cấp nước thông minh tại Việt Nam