CSDL Bài trích Báo - Tạp chí
Ảnh hưởng của mất trật tự chéo lên hàm cảm ứng spin trong bán dẫn từ pha loãng
Tác giả: Nguyễn Hữu Nhã, Phan Văn Nhâm
Số trang:
Tr. 105-111
Số phát hành:
Số 05(48)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
530
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Hàm cảm ứng spin, bán dẫn từ pha loãng, lý thuyết trường trung bình động
Chủ đề:
Vật lý--Lượng tử
Tóm tắt:
Giới thiệu mô hình và lý thuyết trường trung bình động; trình bày kết quả tính toán giải tích cho hàm cảm ứng spin tĩnh.
Tạp chí liên quan
- Tổng hợp thủy tinh xAl2O3 ˗ (100-x)SiO2 (x = 5, 10, 15, 20) pha tạp CuO bằng phương pháp sol-gel
- Peptaibol từ Trichoderma : cấu trúc hóa học, phân loại và sinh tổng hợp
- Sự biến động mực nước tại nhánh sông Gành Hào (tỉnh Cà Mau) dưới ảnh hưởng của biến đổi khí hậu
- On the free radical scavenging activities of Ochracene I - A sesquiterpenoid available in marine fungus
- Chấm lượng tử graphen pha tạp Lưu huỳnh : phương pháp chế tạo và tính chất quang