Ảnh hưởng của mất trật tự chéo lên hàm cảm ứng spin trong bán dẫn từ pha loãng
Tác giả: Nguyễn Hữu Nhã, Phan Văn Nhâm
Số trang:
Tr. 105-111
Số phát hành:
Số 05(48)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
530
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Hàm cảm ứng spin, bán dẫn từ pha loãng, lý thuyết trường trung bình động
Chủ đề:
Vật lý--Lượng tử
Tóm tắt:
Giới thiệu mô hình và lý thuyết trường trung bình động; trình bày kết quả tính toán giải tích cho hàm cảm ứng spin tĩnh.
Tạp chí liên quan
- Phản ứng giải phóng hydro (HER) trên phức Zn(II)-porphine trong dung môi nước cấu trúc, tính chất điện tử và cơ chế phản ứng
- Tổng quan thành phần hóa học của tinh dầu và hoạt tính sinh học
- Hoạt tính sinh học tiêu biểu và ứng dụng thực tiễn của một số loài thực vật thuộc chi Viễn chí (Polygala)
- Ảnh hưởng của biến dạng trục lên tính chất quang của đơn lớp GeS
- Phản ứng giải phóng hydro (HER) trên phức Zn(II)-porphine trong dung môi nước: cấu trúc, tính chất điện tử và cơ chế phản ứng





