Điều khiển năng lượng vùng cấm của các màng mỏng Cu2ZnSnS4 bằng việc kết hợp Indium
Tác giả: Nguyễn Thị Hiệp, Nguyễn Thị Thu Trang, Ứng Thị Diệu Thúy
Số trang:
Tr. 11-17
Số phát hành:
Số 3(70)
Kiểu tài liệu:
Tài liệu Điện tử
Nơi lưu trữ:
CSDL điện tử
Mã phân loại:
540
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Cu2ZnSnS4, Indium, công nghệ phun nhiệt phân, màng mỏng, năng lượng
Chủ đề:
Hóa học--Phân tích
Tóm tắt:
Thay thế In vào màng mỏng CZTS bằng phương pháp phun nhiệt phân và nghiên cứu ảnh hưởng của việc thay thế In lên đặc tính cấu trúc, hình thái cũng như độ rộng vùng cấm của các màng mỏng thu được nhằm tạo tiền đề cho những nghiên cứu sâu hơn để tăng hiệu suất pin mặt trời CZTS.
Tạp chí liên quan
- Nghiên cứu ảnh hưởng của các điều kiện tổng hợp lên cấu trúc của vật liệu Zeolite 4A sử dụng phương pháp nhiễu xạ tại X kết hợp với phổ kế thời gian sống positron
- α-Ankyl hóa các hợp chất ceton thông qua enolat, azaenolat hoặc enamin
- Nghiên cứu tổng quan về nano bạc : từ tổng hợp đến ứng dụng
- Chế tạo giấy kháng khuẩn từ nano bạc và giấy Dó truyền thống của Việt Nam
- Chế tạo và đánh giá khả năng sử dụng liều kế CaSO4:Tm trong đo liều tích lũy môi trường lòng đất





