Điều khiển năng lượng vùng cấm của các màng mỏng Cu2ZnSnS4 bằng việc kết hợp Indium
Tác giả: Nguyễn Thị Hiệp, Nguyễn Thị Thu Trang, Ứng Thị Diệu Thúy
Số trang:
Tr. 11-17
Số phát hành:
Số 3(70)
Kiểu tài liệu:
Tài liệu Điện tử
Nơi lưu trữ:
CSDL điện tử
Mã phân loại:
540
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Cu2ZnSnS4, Indium, công nghệ phun nhiệt phân, màng mỏng, năng lượng
Chủ đề:
Hóa học--Phân tích
Tóm tắt:
Thay thế In vào màng mỏng CZTS bằng phương pháp phun nhiệt phân và nghiên cứu ảnh hưởng của việc thay thế In lên đặc tính cấu trúc, hình thái cũng như độ rộng vùng cấm của các màng mỏng thu được nhằm tạo tiền đề cho những nghiên cứu sâu hơn để tăng hiệu suất pin mặt trời CZTS.
Tạp chí liên quan
- Tổng hợp thủy tinh xAl2O3 ˗ (100-x)SiO2 (x = 5, 10, 15, 20) pha tạp CuO bằng phương pháp sol-gel
- Peptaibol từ Trichoderma : cấu trúc hóa học, phân loại và sinh tổng hợp
- Sự biến động mực nước tại nhánh sông Gành Hào (tỉnh Cà Mau) dưới ảnh hưởng của biến đổi khí hậu
- On the free radical scavenging activities of Ochracene I - A sesquiterpenoid available in marine fungus
- Chấm lượng tử graphen pha tạp Lưu huỳnh : phương pháp chế tạo và tính chất quang





