Điều khiển năng lượng vùng cấm của các màng mỏng Cu2ZnSnS4 bằng việc kết hợp Indium
Tác giả: Nguyễn Thị Hiệp, Nguyễn Thị Thu Trang, Ứng Thị Diệu Thúy
Số trang:
Tr. 11-17
Số phát hành:
Số 3(70)
Kiểu tài liệu:
Tài liệu Điện tử
Nơi lưu trữ:
CSDL điện tử
Mã phân loại:
540
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Cu2ZnSnS4, Indium, công nghệ phun nhiệt phân, màng mỏng, năng lượng
Chủ đề:
Hóa học--Phân tích
Tóm tắt:
Thay thế In vào màng mỏng CZTS bằng phương pháp phun nhiệt phân và nghiên cứu ảnh hưởng của việc thay thế In lên đặc tính cấu trúc, hình thái cũng như độ rộng vùng cấm của các màng mỏng thu được nhằm tạo tiền đề cho những nghiên cứu sâu hơn để tăng hiệu suất pin mặt trời CZTS.
Tạp chí liên quan
- Phân bố và mức độ ô nhiễm của nhôm (Al) và sắt (Fe) trong bụi đường tại thành phố Đà Nẵng
- Chế tạo và tính chất quang của thủy tinh TeO2-B2O3-ZnO-Na2O pha tạp Er3+
- Nghiên cứu cấu trúc và tính chất quang của thủy tinh Sodium fluoroborate (NaFB2O3) pha tạp Dy³⁺
- Chế tạo hạt nano nickel ferrite (NiFe2O4) bằng phương pháp thủy nhiệt
- Mô hình hai chiều trong mô phỏng ảnh hưởng của bias điện áp tới dòng hạt





