Điều khiển năng lượng vùng cấm của các màng mỏng Cu2ZnSnS4 bằng việc kết hợp Indium
Tác giả: Nguyễn Thị Hiệp, Nguyễn Thị Thu Trang, Ứng Thị Diệu Thúy
Số trang:
Tr. 11-17
Số phát hành:
Số 3(70)
Kiểu tài liệu:
Tài liệu Điện tử
Nơi lưu trữ:
CSDL điện tử
Mã phân loại:
540
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Cu2ZnSnS4, Indium, công nghệ phun nhiệt phân, màng mỏng, năng lượng
Chủ đề:
Hóa học--Phân tích
Tóm tắt:
Thay thế In vào màng mỏng CZTS bằng phương pháp phun nhiệt phân và nghiên cứu ảnh hưởng của việc thay thế In lên đặc tính cấu trúc, hình thái cũng như độ rộng vùng cấm của các màng mỏng thu được nhằm tạo tiền đề cho những nghiên cứu sâu hơn để tăng hiệu suất pin mặt trời CZTS.
Tạp chí liên quan
- Trách nhiệm của doanh nghiệp trong phát triển kinh tế biển xanh
- Nghiên cứu mô phỏng DFT tính chất hấp phụ và giải hấp phụ trong dung môi nước của Luteolin và Ambroxol trên -Cyclodextri
- Nghiên cứu ảnh hưởng của thế tương tác Coulomb và sự mất cân bằng khối lượng lên các trạng thái ngưng tụ exciton-polariton
- Xác định hàm lượng một số nguyên tố trong rong mơ (Sargassum sp.) bằng kĩ thuật phân tích kích hoạt neutro
- Cơ chế khử Eu3+→Eu2+ của Sr2MgSi2O7:Eu3+ trong môi trường không khí và trong khí H2