CSDL Bài trích Báo - Tạp chí
. Incorporation of Nitrogen-related species on Ga-rich GaN (0001) surfaces = Cơ chế hấp thụ của các hợp chất Nitơ trên bề mặt giàu Ga của GaN (0001)
Tác giả: Bui Kieu My
Số trang:
P. 176-181
Số phát hành:
Số 04(65)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
540
Ngôn ngữ:
Tiếng Anh
Từ khóa:
Gallium Nitride, epitaxial growth, first principle simulation
Chủ đề:
Chemistry
Tóm tắt:
We present features in the incorporation of Nitrogen-related species on the Ga-rich GaN (0001) surface based on firstprinciples total energy calculations. We find that the N adatom spontaneously substitutes for the Ga adatom upon adsorption and forms 4-fold N structure. Surprisingly, this substitutional adsorption does not have any activation energy. Also, we find that NH2 and NH units intervene in the Ga-Ga weak bonds and form - Ga - (NHx) - Ga - structure during the adsorption. This finding gives an insight into the fate of ammonia species during adsorption on the Ga-rich GaN (0001) surface.