CSDL Bài trích Báo - Tạp chí
Incorporation of Nitrogen-related species on Ga-rich GaN (0001) surfaces = Cơ chế hấp thụ của các hợp chất Nitơ trên bề mặt giàu Ga của GaN (0001)
Tác giả: Bui Kieu My
Số trang:
P. 176-181
Số phát hành:
Số 04(65)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
540
Ngôn ngữ:
Tiếng Anh
Từ khóa:
Gallium Nitride, epitaxial growth, first principle simulation
Chủ đề:
Chemistry
Tóm tắt:
We present features in the incorporation of Nitrogen-related species on the Ga-rich GaN (0001) surface based on firstprinciples total energy calculations. We find that the N adatom spontaneously substitutes for the Ga adatom upon adsorption and forms 4-fold N structure. Surprisingly, this substitutional adsorption does not have any activation energy. Also, we find that NH2 and NH units intervene in the Ga-Ga weak bonds and form - Ga - (NHx) - Ga - structure during the adsorption. This finding gives an insight into the fate of ammonia species during adsorption on the Ga-rich GaN (0001) surface.
Tạp chí liên quan
- Đánh giá sự ảnh hưởng của quản trị nguồn nhân lực trong trạng thái chuyển đổi số tòi hiệu quả hoạt động xét dưới góc độ tài chính của doanh nghiệp nhỏ và vừa trong ngành thương mại và dịch vụ : nghiên cứu trên địa bàn Hà Nội
- Weak two-scale convergence in L2 for a two-dimensional case = Hội tụ hai-kích thước yếu trong L2 cho một trường hợp hai chiều
- Strong two-scale convergence for a two-dimensional case = Hội tụ hai-kích thước mạnh cho một trường hợp hai chiều
- Applications of Google OR-Tools in solving construction management linear optimization problems = Ứng dụng công cụ Google OR-Tools trong giải các bài toán tối ưu hóa tuyến tính trong quản lý dự án xây dựng
- Transition nodal basis functions in p-adaptive finte element methods = Hàm nút cơ sở chuyển giao dùng trong phương pháp phần tử hữu hạn thích nghi loại p