Nghiên cứu số về phương pháp bias điện áp sử dụng trong giảm dòng nhiệt thông tới bề mặt kim loại
Tác giả: Lê Thị Quỳnh Trang
Số trang:
Tr. 148-154
Số phát hành:
Số 04(65)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
621
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Bias điện áp, nhiệt thông, thông lượng, phương pháp mô phỏng Particle-in-cell
Chủ đề:
Điện áp
Tóm tắt:
Sử dụng mô hình mô phỏng Particle-in-Cell để nghiên cứu về việc giảm tải dòng nhiệt cao tới bề mặt kim loại bằng bias điện áp. Dòng electron và ion được bơm liên tục vào hệ và bị hấp thụ hoàn toàn tại bề mặt kim loại. Kết quả mô phỏng chỉ ra rằng, bias điện áp làm giảm thông lượng của plasma tới về mặt kim loại. Nhiệt thông của electron giảm trong khi nhiệt thông của ion lại tăng lên khi sử dụng bias điện áp âm.
Tạp chí liên quan
- Nâng cao hiệu quả nhận dạng các tham số dao động dựa trên kỹ thuật tách nguồn mù
- Thăng giáng exciton ngưng tụ của hệ điện tử - lỗ trống mất cân bằng khối lượng
- Numerical study on sheath formation near materials using Particle-In-Cell simulation = Nghiên cứu số về sự hình thành lớp vỏ bọc điện thế gần bề mặt kim loại sử dụng phương pháp mô phỏng Particle-In-Cell
- Port-Hamiltonian modelling of two kinds of electrical circuits = Mô hình hóa Hamilton của hai kiểu mạch điện
- Điện hạt nhân Trung Quốc - Hiện tại và tương lai