CSDL Bài trích Báo - Tạp chí
Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp MGe2N4 (M = Mo, W) bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tác giả: Võ Thị Tuyết Vi, Lê Văn Hùng, Nguyễn Thị Thắm Hồng, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu
Số trang:
Tr. 12-20
Số phát hành:
Số 04 (65)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
541
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Vật liệu hai chiều, tính chất điện tử, lý thuyết phiếm hàm mật độ
Chủ đề:
Hóa lý
Tóm tắt:
Nghiên cứu một cách chi tiết và hệ thống các đặc trưng cấu trúc và tính chất điện tử của vật liệu hai chiều MGe2N4 (M = Mo, W) bằng phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ. Đồng thời, ảnh hưởng của biến dạng cơ học lên các tính chất điện tử của vật liệu cũng sẽ được khảo sát trong bài báo này.
Tạp chí liên quan
- Nguy cơ ô nhiễm không khí trong nhà và đề xuất giải pháp thiết kế công trình đảm bảo chất lượng không khí theo tiêu chuẩn Việt Nam
- Sử dụng chỉ thị sinh học rêu Barbula Indica trong đánh giá nguồn phát thải gây ô nhiễm kim loại nặng trong không khí tại thành phố Hải Phòng
- Nghiên cứu xây dựng hệ thống thông số, chỉ thị, chỉ số đánh giá kết quả đạt mục tiêu các quy hoạch ngành tài nguyên và môi trường
- Từ kinh nghiệm quốc tế đề xuất giải pháp chính sách khuyến khích thiết kế, chế tạo thiết bị chuyên dùng cho hoạt động điều tra cơ bản tài nguyên và môi trường
- Kinh nghiệm phát triển công trình xanh trên thế giới và đề xuất giải pháp phát triển ở Việt Nam nhằm đáp ứng mục tiêu giảm phát thải khí nhà kính