CSDL Bài trích Báo - Tạp chí
Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp MGe2N4 (M = Mo, W) bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tác giả: Võ Thị Tuyết Vi, Lê Văn Hùng, Nguyễn Thị Thắm Hồng, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu
Số trang:
Tr. 12-20
Số phát hành:
Số 04 (65)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
541
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Vật liệu hai chiều, tính chất điện tử, lý thuyết phiếm hàm mật độ
Chủ đề:
Hóa lý
Tóm tắt:
Nghiên cứu một cách chi tiết và hệ thống các đặc trưng cấu trúc và tính chất điện tử của vật liệu hai chiều MGe2N4 (M = Mo, W) bằng phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ. Đồng thời, ảnh hưởng của biến dạng cơ học lên các tính chất điện tử của vật liệu cũng sẽ được khảo sát trong bài báo này.
Tạp chí liên quan
- Nghiên cứu phát triển gia vị rắc cơm từ nấm rơm và chùm ngây
- Variation of effective absorption bandwidth as a function of oblique angle for Cu, Co, and Ti co-doped SrFe12O19 = Sự thay đổi của băng thông hấp thụ hiệu quả như là một hàm của góc xiên đối với SrFe12O19 đồng pha tạp Cu, Co, và Ti
- Weak two-scale convergence in L2 for a two-dimensional case = Hội tụ hai-kích thước yếu trong L2 cho một trường hợp hai chiều
- Strong two-scale convergence for a two-dimensional case = Hội tụ hai-kích thước mạnh cho một trường hợp hai chiều
- Transition nodal basis functions in p-adaptive finte element methods = Hàm nút cơ sở chuyển giao dùng trong phương pháp phần tử hữu hạn thích nghi loại p