Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp MGe2N4 (M = Mo, W) bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tác giả: Võ Thị Tuyết Vi, Lê Văn Hùng, Nguyễn Thị Thắm Hồng, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu
Số trang:
Tr. 12-20
Số phát hành:
Số 04 (65)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
541
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Vật liệu hai chiều, tính chất điện tử, lý thuyết phiếm hàm mật độ
Chủ đề:
Hóa lý
Tóm tắt:
Nghiên cứu một cách chi tiết và hệ thống các đặc trưng cấu trúc và tính chất điện tử của vật liệu hai chiều MGe2N4 (M = Mo, W) bằng phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ. Đồng thời, ảnh hưởng của biến dạng cơ học lên các tính chất điện tử của vật liệu cũng sẽ được khảo sát trong bài báo này.
Tạp chí liên quan
- Trách nhiệm của doanh nghiệp trong phát triển kinh tế biển xanh
- Nghiên cứu mô phỏng DFT tính chất hấp phụ và giải hấp phụ trong dung môi nước của Luteolin và Ambroxol trên -Cyclodextri
- Nghiên cứu ảnh hưởng của thế tương tác Coulomb và sự mất cân bằng khối lượng lên các trạng thái ngưng tụ exciton-polariton
- Xác định hàm lượng một số nguyên tố trong rong mơ (Sargassum sp.) bằng kĩ thuật phân tích kích hoạt neutro
- Cơ chế khử Eu3+→Eu2+ của Sr2MgSi2O7:Eu3+ trong môi trường không khí và trong khí H2