Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp MGe2N4 (M = Mo, W) bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tác giả: Võ Thị Tuyết Vi, Lê Văn Hùng, Nguyễn Thị Thắm Hồng, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu
Số trang:
Tr. 12-20
Số phát hành:
Số 04 (65)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
541
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Vật liệu hai chiều, tính chất điện tử, lý thuyết phiếm hàm mật độ
Chủ đề:
Hóa lý
Tóm tắt:
Nghiên cứu một cách chi tiết và hệ thống các đặc trưng cấu trúc và tính chất điện tử của vật liệu hai chiều MGe2N4 (M = Mo, W) bằng phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ. Đồng thời, ảnh hưởng của biến dạng cơ học lên các tính chất điện tử của vật liệu cũng sẽ được khảo sát trong bài báo này.
Tạp chí liên quan
- Khả năng ứng dụng cách tiếp cận dự báo dài hạn (Foresight) trong xây dựng chính sách về an ninh môi trường
- Quy trình kỹ thuật kiểm kê, quan trắc đa dạng sinh học
- Nghiên cứu khả năng hấp phụ caffeine của than sinh học vỏ cà phê hoạt hóa bằng K₂CO₃
- Nghiên cứu ứng dụng phương pháp keo tụ điện hóa xử lý crom nước thải xi mạ
- Đánh giá các phương pháp phân loại lớp phủ thực vật tỉnh Hà Giang sử dụng dữ liệu ảnh vệ tinh SENTINEL-2