Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp MGe2N4 (M = Mo, W) bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tác giả: Võ Thị Tuyết Vi, Lê Văn Hùng, Nguyễn Thị Thắm Hồng, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu
Số trang:
Tr. 12-20
Số phát hành:
Số 04 (65)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
541
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Vật liệu hai chiều, tính chất điện tử, lý thuyết phiếm hàm mật độ
Chủ đề:
Hóa lý
Tóm tắt:
Nghiên cứu một cách chi tiết và hệ thống các đặc trưng cấu trúc và tính chất điện tử của vật liệu hai chiều MGe2N4 (M = Mo, W) bằng phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ. Đồng thời, ảnh hưởng của biến dạng cơ học lên các tính chất điện tử của vật liệu cũng sẽ được khảo sát trong bài báo này.
Tạp chí liên quan
- Phân bố và mức độ ô nhiễm của nhôm (Al) và sắt (Fe) trong bụi đường tại thành phố Đà Nẵng
- Chế tạo và tính chất quang của thủy tinh TeO2-B2O3-ZnO-Na2O pha tạp Er3+
- Nghiên cứu cấu trúc và tính chất quang của thủy tinh Sodium fluoroborate (NaFB2O3) pha tạp Dy³⁺
- Chế tạo hạt nano nickel ferrite (NiFe2O4) bằng phương pháp thủy nhiệt
- Mô hình hai chiều trong mô phỏng ảnh hưởng của bias điện áp tới dòng hạt





