Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp MGe2N4 (M = Mo, W) bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tác giả: Võ Thị Tuyết Vi, Lê Văn Hùng, Nguyễn Thị Thắm Hồng, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu
Số trang:
Tr. 12-20
Số phát hành:
Số 04 (65)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
541
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Vật liệu hai chiều, tính chất điện tử, lý thuyết phiếm hàm mật độ
Chủ đề:
Hóa lý
Tóm tắt:
Nghiên cứu một cách chi tiết và hệ thống các đặc trưng cấu trúc và tính chất điện tử của vật liệu hai chiều MGe2N4 (M = Mo, W) bằng phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ. Đồng thời, ảnh hưởng của biến dạng cơ học lên các tính chất điện tử của vật liệu cũng sẽ được khảo sát trong bài báo này.
Tạp chí liên quan
- Đánh giá hiện trạng và giải pháp ứng dụng công nghệ phân hủy kỵ khí trong xử lý chất thải rắn phân hủy sinh học ở Việt Nam
- Giải pháp đảm bảo sinh kế bền vững cho cư dân nông thôn vùng Tây Nam Bộ trong bối cảnh biến đổi khí hậu
- Tài chính xanh đối với suy thoái môi trường và năng lượng bền vững tại 45 quốc gia châu Á
- Tác động của biến đổi khí hậu đến chất lượng tín dụng - Nghiên cứu thực nghiệm tại các ngân hàng thương mại Việt Nam
- Ứng dụng công nghệ hạt nhân trong ứng phó ô nhiễm rác thải nhựa