Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp MGe2N4 (M = Mo, W) bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tác giả: Võ Thị Tuyết Vi, Lê Văn Hùng, Nguyễn Thị Thắm Hồng, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu
Số trang:
Tr. 12-20
Số phát hành:
Số 04 (65)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
541
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Vật liệu hai chiều, tính chất điện tử, lý thuyết phiếm hàm mật độ
Chủ đề:
Hóa lý
Tóm tắt:
Nghiên cứu một cách chi tiết và hệ thống các đặc trưng cấu trúc và tính chất điện tử của vật liệu hai chiều MGe2N4 (M = Mo, W) bằng phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ. Đồng thời, ảnh hưởng của biến dạng cơ học lên các tính chất điện tử của vật liệu cũng sẽ được khảo sát trong bài báo này.
Tạp chí liên quan
- Ứng dụng công nghệ tích hợp SONIC - IOT - AI trong phát hiện rò rỉ trên mạng lưới cấp nước
- Nghiên cứu tác động của phát triển nhà cao tầng đến năng lực khai thác hệ thống giao thông đô thị tại TP. Hồ Chí Minh
- Đường sắt tốc độ cao và mô hình TOD: Động lực phát triển đô thị thông minh định hướng từ Nghị định 269/2025/NĐ-CP về phát triển đô thị thông minh
- Ứng dụng mảng một chiều và kỹ thuật ma trận thưa để lập trình xử lý số liệu lưới khống chế trắc địa số lượng điểm lớn
- Cơ sở dữ liệu nền tảng của hệ thống cấp nước thông minh tại Việt Nam





