So sánh tính chất điện-từ của đơn lớp vật liệu CrPSe3 và CrPSe3 pha tạp Fe bằng phương pháp phiếm hàm mật độ
Tác giả: Trần Tuấn Anh
Số trang:
Tr. 65-74
Số phát hành:
Số 03 (58) - Tháng 6
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
541
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Chalcogenophosphite, vật liệu đơn lớp nguyên tử, phiếm hàm mật độ, tính chất điện-từ
Chủ đề:
Hóa lý
Tóm tắt:
Khảo sát sự thay đổi của tính chất điện – từ của vật liệu CrPSe3 đơn lớp khi pha tạp 25% Fe vào vị trí của Cr bằng cách tiếp cận lý thuyết sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ. Kết quả cho thấy khi chưa tính đến tương tác từ, việc pha tạp Fe làm cho vật liệu CrPSe3 là bán dẫn thẳng chuyển thành vật liệu bán dẫn xiên với độ rộng vùng cấm tăng lên.
Tạp chí liên quan
- Ảnh hưởng của áp suất đến tần số Einstein, nhiệt độ Einstein và hệ số Debye-Waller phổ EXAFS của kim loại kẽm
- Ảnh hưởng của kích thước đến nhiệt độ nóng chảy và nhiệt độ Debye của các hạt nano Ni
- Mô phỏng Particle-in-Cell cho phương pháp sử dụng các tia điện nhằm giảm dòng nhiệt tới bề mặt kim loại
- Thủy tinh lithium borate pha tạp ion Eu3+ (Li2B4O7:Eu3+) : cấu trúc, tính chất vật lý và đặc tính đo liều bức xạ
- Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp MGe2N4 (M = Mo, W) bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ





