Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp MGe2N4 (M = Mo, W) bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tác giả: Võ Thị Tuyết Vi, Lê Văn Hùng, Nguyễn Thị Thắm Hồng, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu
Số trang:
Tr. 12-20
Số phát hành:
Số 04 (65)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
541
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Vật liệu hai chiều, tính chất điện tử, lý thuyết phiếm hàm mật độ
Chủ đề:
Hóa lý
Tóm tắt:
Nghiên cứu một cách chi tiết và hệ thống các đặc trưng cấu trúc và tính chất điện tử của vật liệu hai chiều MGe2N4 (M = Mo, W) bằng phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ. Đồng thời, ảnh hưởng của biến dạng cơ học lên các tính chất điện tử của vật liệu cũng sẽ được khảo sát trong bài báo này.
Tạp chí liên quan
- Tối ưu hóa các yếu tố vận hành quá trình keo tụ điện hóa xử lý nước thải cơ sở sản xuất miếng nhựa bằng phương pháp RSM
- Nghiên cứu thử nghiệm chế tạo vật liệu hấp phụ biocomposite từ sét kaolin
- Tính chất nhiệt phát quang của thủy tinh CaSO4-B2O3-RE2O3, khả năng ứng dụng trong đo liều bức xạ
- So sánh tính chất điện-từ của đơn lớp vật liệu CrPSe3 và CrPSe3 pha tạp Fe bằng phương pháp phiếm hàm mật độ
- Tính chất quang của chấm lượng tử Graphene đồng pha tạp Lưu huỳnh và Nitơ chế tạo bằng phương pháp nhiệt phân dưới sự hỗ trợ của lò vi sóng