Thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon
Tác giả: Nguyễn Văn Sỹ, Đặng Quang Thiệu, Nguyễn Thanh Hùng
Số trang:
Tr. 38-43
Tên tạp chí:
Khoa học Công nghệ Việt Nam - B
Số phát hành:
Số 01
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
621
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Đầu đo nhấp nháy, mảng nhân quang silicon SiPM, tinh thể nhấp nháy CsI(Tl)
Chủ đề:
Điện--Điện tử
Tóm tắt:
Trong nghiên cứu này, một đầu đo nhấp nháy đã được phát triển bằng cách sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM - Silicon photomultiplier) nhằm thay thế cho ống nhân quang điện (PMT - Photomultiplier tube), với ưu điểm là đầu đo nhỏ gọn và tiết kiệm năng lượng. Nghiên cứu cũng đã khảo sát độ ổn định của đầu đo theo nhiệt độ môi trường hoạt động và kết quả là biên độ xung ra thay đổi rất lớn theo nhiệt độ môi trường, biên độ xung ra = giảm khi nhiệt độ môi trường tăng lên và ngược lại.
Tạp chí liên quan
- Thiết kế và tích hợp mô hình robot song song Delta ứng dụng xử lý ảnh phục vụ đào tạo nghề Cơ điện tử
- Nghiên cứu ứng dụng thuật toán thông minh trong quản lý năng lượng cho xe điện VinFast VF3
- Phân tích và dự báo tiêu thụ điện năng trong mạng điện khu công nghiệp dựa trên điện trở tương đương
- Thiết kế robot tự hành tích hợp cảm biến thông minh nhằm cảnh báo giám sát môi trường lao động
- Xây dựng chương trình hỗ trợ phát hiện và thống kê cây xanh HCMUNRE_TreeVision1 từ ảnh UAV sử dụng Deep Learning





