Bức xạ Terahertz từ sự kết cặp của Phonon quang dọc và Plamon kết hợp trong Diode bán dẫn GaAs bằng phương pháp mô phỏng Monte Carlo
Tác giả: Nguyễn Phước Thể
Số trang:
Tr. 86-89
Tên tạp chí:
Khoa học & Công nghệ
Số phát hành:
Số tháng 01/2011
Kiểu tài liệu:
Báo - Tạp chí
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
530
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Bức xạ Terahertz, Phonon quang dọc, Plamon, Diode, bán dẫn GaAs, Monte Carlo
Chủ đề:
Vật lý
Tóm tắt:
Bài báo trình bày kết quả nghiên cứu bức xạ Terahertz có nguồn gốc từ sự kết cặp của phonon quang dọc và plasmon kết hợp trong đi-ốt bán GaAs có cấu trúc p-i-n. Kết quả đã được thực hiện bằng phương pháp mô phỏng
Tạp chí liên quan
- Mối liên quan giữa một số đặc điểm lâm sàng và giải phẫu bệnh của sarcôm tạo xương với dấu ấn SATB2
- Đặc điểm mô bệnh học và hóa mô miễn dịch sarcoma màng hoạt dịch tại Bệnh viện K
- Nghiên cứu dấu hiệu lâm sàng và đặc điểm giải phẫu bệnh của bệnh viêm da cơ
- Đánh giá biểu hiện của thụ thể androgen trên bệnh ung thư vú bộ ba âm tính bằng phương pháp hóa mô miễn dịch
- Nghiên cứu đặc điểm hoá mô miễn dịch của EGFR và các dấu ấn CK, p63, Vimentin trong ung thư biểu mô vú dị sản tại Bệnh viện K





