Bức xạ Terahertz từ sự kết cặp của Phonon quang dọc và Plamon kết hợp trong Diode bán dẫn GaAs bằng phương pháp mô phỏng Monte Carlo
Tác giả: Nguyễn Phước Thể
Số trang:
Tr. 86-89
Tên tạp chí:
Khoa học & Công nghệ
Số phát hành:
Số tháng 01/2011
Kiểu tài liệu:
Báo - Tạp chí
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
530
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Bức xạ Terahertz, Phonon quang dọc, Plamon, Diode, bán dẫn GaAs, Monte Carlo
Chủ đề:
Vật lý
Tóm tắt:
Bài báo trình bày kết quả nghiên cứu bức xạ Terahertz có nguồn gốc từ sự kết cặp của phonon quang dọc và plasmon kết hợp trong đi-ốt bán GaAs có cấu trúc p-i-n. Kết quả đã được thực hiện bằng phương pháp mô phỏng
Tạp chí liên quan
- Đánh giá hiệu quả kỹ thuật CNV-seq trong chẩn đoán trước sinh các bất thường nhiễm sắc thể ở thai nhi tại Bệnh viện Đại học Y Hà Nội
- Đánh giá kết quả hồi phục chức năng vận động cho người bệnh đột quỵ não tại Bệnh viện Điều dưỡng Phục hồi chức năng Trung ương năm 2023
- Đánh giá giá trị xét nghiệm HPV, tế bào học và đồng sàng lọc trong tầm soát ung thư cổ tử cung
- Đặc điểm lâm sàng, cận lâm sàng của người bệnh viêm gan vi rút E điều trị tại Bệnh viện Bệnh nhiệt đới Trung ương trong năm 2023
- Giá trị của xét nghiệm Xpert MTB/RIF chẩn đoán lao phổi trong mẫu dịch rửa phế quản phế nang tại bệnh viện Đa khoa Đồng Nai