Bức xạ Terahertz từ sự kết cặp của Phonon quang dọc và Plamon kết hợp trong Diode bán dẫn GaAs bằng phương pháp mô phỏng Monte Carlo
Tác giả: Nguyễn Phước Thể
Số trang:
Tr. 86-89
Tên tạp chí:
Khoa học & Công nghệ
Số phát hành:
Số tháng 01/2011
Kiểu tài liệu:
Báo - Tạp chí
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
530
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Bức xạ Terahertz, Phonon quang dọc, Plamon, Diode, bán dẫn GaAs, Monte Carlo
Chủ đề:
Vật lý
Tóm tắt:
Bài báo trình bày kết quả nghiên cứu bức xạ Terahertz có nguồn gốc từ sự kết cặp của phonon quang dọc và plasmon kết hợp trong đi-ốt bán GaAs có cấu trúc p-i-n. Kết quả đã được thực hiện bằng phương pháp mô phỏng
Tạp chí liên quan
- Nghiên cứu khả năng chống oxy hóa của thiamine (vitamin B1) bằng phương pháp phiếm hàm mật độ (DFT)
- Bàn về những điểm mới của Bộ luật Hình sự 2015 sửa đổi, bổ sung năm 2017 về hình phạt tử hình
- Quá trình công nghiệp hóa ở Nhật Bản dưới thời Minh Trị (1868 - 1912) và một số gợi mở cho công cuộc đổi mới của Việt Nam hiện nay
- Hoàn thiện pháp luật về lao động là người khuyết tật ở Việt Nam hiện nay
- Một số bất cập của pháp luật về trách nhiệm bồi thường thiệt hại khi doanh nghiệp gây ô nhiễm môi trường





