Tóm tắt:

Sự phân bố của các nguyên tử P và Sb pha tạp trong màng Ge được tập trung khảo sát theo điều kiện xử lý nhiệt. Màng Ge được lắng đọng trên đế Si (100) bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử MBE (Molecular Beam Epitaxy). Phép đo phổ nhiễu xạ điện tử phản xạ năng lượng cao RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) và ảnh kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM) được dùng để đánh giá chất lượng bề mặt của mẫu cũng như chất lượng tinh thể của màng Ge.