Ảnh hưởng của mất trật tự chéo lên hàm cảm ứng spin trong bán dẫn từ pha loãng
Tác giả: Nguyễn Hữu Nhã, Phan Văn Nhâm
Số trang:
Tr. 105-111
Số phát hành:
Số 05(48)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
530
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Hàm cảm ứng spin, bán dẫn từ pha loãng, lý thuyết trường trung bình động
Chủ đề:
Vật lý--Lượng tử
Tóm tắt:
Giới thiệu mô hình và lý thuyết trường trung bình động; trình bày kết quả tính toán giải tích cho hàm cảm ứng spin tĩnh.





