Ảnh hưởng của mất trật tự chéo lên hàm cảm ứng spin trong bán dẫn từ pha loãng
Tác giả: Nguyễn Hữu Nhã, Phan Văn Nhâm
Số trang:
Tr. 105-111
Số phát hành:
Số 05(48)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
530
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Hàm cảm ứng spin, bán dẫn từ pha loãng, lý thuyết trường trung bình động
Chủ đề:
Vật lý--Lượng tử
Tóm tắt:
Giới thiệu mô hình và lý thuyết trường trung bình động; trình bày kết quả tính toán giải tích cho hàm cảm ứng spin tĩnh.
Tạp chí liên quan
- Phân bố loài Candida spp. trên bệnh nhân viêm âm hộ - âm đạo do nấm
- Khó tiêu chức năng có dùng Itopride hydrochloride
- Đặc điểm lâm sàng, cận lâm sàng động kinh ở trẻ em tại Bệnh viện Nhi Thái Bình
- Hiệu quả điều trị loét tá tràng có nhiễm helicobacter pylori ở trẻ em bằng phác đồ 4 thuốc có bismuth tại Bệnh viện Nhi Thái Bình
- Kiến thức về bệnh sùi mào gà và một số yếu tố liên quan trên người bệnh sùi mào gà được điều trị tại Bệnh viện Da Liễu Hà Nội năm 2020





