Điều khiển năng lượng vùng cấm của các màng mỏng Cu2ZnSnS4 bằng việc kết hợp Indium
Tác giả: Nguyễn Thị Hiệp, Nguyễn Thị Thu Trang, Ứng Thị Diệu Thúy
Số trang:
Tr. 11-17
Số phát hành:
Số 3(70)
Kiểu tài liệu:
Tài liệu Điện tử
Nơi lưu trữ:
CSDL điện tử
Mã phân loại:
540
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Cu2ZnSnS4, Indium, công nghệ phun nhiệt phân, màng mỏng, năng lượng
Chủ đề:
Hóa học--Phân tích
Tóm tắt:
Thay thế In vào màng mỏng CZTS bằng phương pháp phun nhiệt phân và nghiên cứu ảnh hưởng của việc thay thế In lên đặc tính cấu trúc, hình thái cũng như độ rộng vùng cấm của các màng mỏng thu được nhằm tạo tiền đề cho những nghiên cứu sâu hơn để tăng hiệu suất pin mặt trời CZTS.
Tạp chí liên quan
- Kiến thức về đột quỵ não cấp của người nhà người bệnh và một số yếu tố liên quan tại Bệnh viện Lão khoa Trung ương năm 2025
- Hoạt động quản lý điều trị ngoại trú người bệnh đái tháo đường type 2 và một số yếu tố ảnh hưởng tại Trung tâm Y tế thành phố Mỹ Tho năm 2025
- Tỷ lệ tử vong và một số yếu tố liên quan ở người bệnh tăng áp động mạch phổi do bệnh lý van tim bên trái
- Khảo sát sức căng dọc thất trái bằng siêu âm đánh dấu mô cơ tim ở người bệnh lupus ban đỏ hệ thống
- Khảo sát nhận thức của điều dưỡng chăm sóc về sử dụng quy trình điều dưỡng tại các khoa lâm sàng Bệnh viện quận 11 năm 2024