Điều khiển năng lượng vùng cấm của các màng mỏng Cu2ZnSnS4 bằng việc kết hợp Indium
Tác giả: Nguyễn Thị Hiệp, Nguyễn Thị Thu Trang, Ứng Thị Diệu Thúy
Số trang:
Tr. 11-17
Số phát hành:
Số 3(70)
Kiểu tài liệu:
Tài liệu Điện tử
Nơi lưu trữ:
CSDL điện tử
Mã phân loại:
540
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Cu2ZnSnS4, Indium, công nghệ phun nhiệt phân, màng mỏng, năng lượng
Chủ đề:
Hóa học--Phân tích
Tóm tắt:
Thay thế In vào màng mỏng CZTS bằng phương pháp phun nhiệt phân và nghiên cứu ảnh hưởng của việc thay thế In lên đặc tính cấu trúc, hình thái cũng như độ rộng vùng cấm của các màng mỏng thu được nhằm tạo tiền đề cho những nghiên cứu sâu hơn để tăng hiệu suất pin mặt trời CZTS.
Tạp chí liên quan
- Đánh giá tình trạng nhiễm trùng huyết tại đơn vị Ghép tế bào gốc- khoa Huyết học - bệnh viện Chợ Rẫy từ năm 2017 đến 6 tháng đầu năm 2024
- Đánh giá đáp ứng sau hóa trị tân hỗ trợ bằng phác đồ Docetaxel, Carboplatin và Trastuzumab ở bệnh nhân ung thư vú có thụ thể HER2 dương tính giai đoạn II, III
- Nghiên cứu tỉ lệ cắt tuyến phó giáp không chủ ý trong phẫu thuật cắt giáp và nạo hạch cổ nhóm vi tại Bệnh viện Ung Bướu Thành phố Hồ Chí Minh năm 2023
- Vai trò của thời gian nhân đôi thyroglobulin trong đánh giá tái phát, di căn ở bệnh nhân ung thư tuyến giáp thể biệt hóa
- Đánh giá bước đầu phẫu thuật đoạn chậu trong ung thư phụ khoa initial





