Điều khiển năng lượng vùng cấm của các màng mỏng Cu2ZnSnS4 bằng việc kết hợp Indium
Tác giả: Nguyễn Thị Hiệp, Nguyễn Thị Thu Trang, Ứng Thị Diệu Thúy
Số trang:
Tr. 11-17
Số phát hành:
Số 3(70)
Kiểu tài liệu:
Tài liệu Điện tử
Nơi lưu trữ:
CSDL điện tử
Mã phân loại:
540
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Cu2ZnSnS4, Indium, công nghệ phun nhiệt phân, màng mỏng, năng lượng
Chủ đề:
Hóa học--Phân tích
Tóm tắt:
Thay thế In vào màng mỏng CZTS bằng phương pháp phun nhiệt phân và nghiên cứu ảnh hưởng của việc thay thế In lên đặc tính cấu trúc, hình thái cũng như độ rộng vùng cấm của các màng mỏng thu được nhằm tạo tiền đề cho những nghiên cứu sâu hơn để tăng hiệu suất pin mặt trời CZTS.
Tạp chí liên quan
- Kết quả điều trị bước sau bằng Regorafenib ở bệnh nhân ung thư biểu mô tế bào gan tiến triển
- Kết quả điều trị cetuximab phối hợp hóa chất trong ung thư đại trực tràng di căn
- Mức độ kiểm soát bệnh, chất lượng cuộc sống và các yếu tố liên quan ở người bệnh mày đay mạn tính
- Tỷ trọng dịch lòng ruột và thành ruột trên cắt lớp vi tính không tiêm thuốc dự đoán hoại tử ruột non
- Đánh giá kết quả điều trị xoắn tinh hoàn tại Bệnh viện Đại học Y Hà Nội giai đoạn 2020 - 2025





