Điều khiển năng lượng vùng cấm của các màng mỏng Cu2ZnSnS4 bằng việc kết hợp Indium
Tác giả: Nguyễn Thị Hiệp, Nguyễn Thị Thu Trang, Ứng Thị Diệu Thúy
Số trang:
Tr. 11-17
Số phát hành:
Số 3(70)
Kiểu tài liệu:
Tài liệu Điện tử
Nơi lưu trữ:
CSDL điện tử
Mã phân loại:
540
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Cu2ZnSnS4, Indium, công nghệ phun nhiệt phân, màng mỏng, năng lượng
Chủ đề:
Hóa học--Phân tích
Tóm tắt:
Thay thế In vào màng mỏng CZTS bằng phương pháp phun nhiệt phân và nghiên cứu ảnh hưởng của việc thay thế In lên đặc tính cấu trúc, hình thái cũng như độ rộng vùng cấm của các màng mỏng thu được nhằm tạo tiền đề cho những nghiên cứu sâu hơn để tăng hiệu suất pin mặt trời CZTS.
Tạp chí liên quan
- Phản ứng giải phóng hydro (HER) trên phức Zn(II)-porphine trong dung môi nước cấu trúc, tính chất điện tử và cơ chế phản ứng
- Đặc điểm chữ Hán đa âm và một số vấn đề liên quan đến dịch thuật: Trường hợp chữ “单”
- Chữ viết tiếng Ve
- Hệ thống thanh điệu tiếng Tống ở Việt Nam
- “Tiêu điểm” trong ngôn ngữ đánh giá ngoại hình tiếng Việt





