Điều khiển năng lượng vùng cấm của các màng mỏng Cu2ZnSnS4 bằng việc kết hợp Indium
Tác giả: Nguyễn Thị Hiệp, Nguyễn Thị Thu Trang, Ứng Thị Diệu Thúy
Số trang:
Tr. 11-17
Số phát hành:
Số 3(70)
Kiểu tài liệu:
Tài liệu Điện tử
Nơi lưu trữ:
CSDL điện tử
Mã phân loại:
540
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Cu2ZnSnS4, Indium, công nghệ phun nhiệt phân, màng mỏng, năng lượng
Chủ đề:
Hóa học--Phân tích
Tóm tắt:
Thay thế In vào màng mỏng CZTS bằng phương pháp phun nhiệt phân và nghiên cứu ảnh hưởng của việc thay thế In lên đặc tính cấu trúc, hình thái cũng như độ rộng vùng cấm của các màng mỏng thu được nhằm tạo tiền đề cho những nghiên cứu sâu hơn để tăng hiệu suất pin mặt trời CZTS.
Tạp chí liên quan
- Chất lượng cuộc sống của người bệnh sau phẫu thuật thay khớp gối toàn phần tại Bệnh viện Hữu nghị Việt Đức năm 2025
- Đặc điểm dịch tễ học, lâm sàng, thực trạng sơ cứu và xử trí ban đầu bệnh nhân rắn độc cắn tại Bệnh viện Hữu nghị Đa khoa Nghệ An
- Giá trị của thang điểm Rajan's Heart Failure (R-hf) trong tiên lượng kết cục ngắn hạn ở bệnh nhân suy tim mất bù cấp
- Đánh giá chức năng gan và thận ở bệnh nhân HIV điều trị ARV tại Bệnh viện Thành phố Thủ Đức trong giai đoạn 2023-2024 và các yếu tố liên quan
- Tỷ lệ mắc và một số nguyên nhân gây tổn thương thận cấp ở trẻ sơ sinh tại trung tâm sơ sinh, Bệnh viện Nhi Trung ương