Điều khiển năng lượng vùng cấm của các màng mỏng Cu2ZnSnS4 bằng việc kết hợp Indium
Tác giả: Nguyễn Thị Hiệp, Nguyễn Thị Thu Trang, Ứng Thị Diệu Thúy
Số trang:
Tr. 11-17
Số phát hành:
Số 3(70)
Kiểu tài liệu:
Tài liệu Điện tử
Nơi lưu trữ:
CSDL điện tử
Mã phân loại:
540
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Cu2ZnSnS4, Indium, công nghệ phun nhiệt phân, màng mỏng, năng lượng
Chủ đề:
Hóa học--Phân tích
Tóm tắt:
Thay thế In vào màng mỏng CZTS bằng phương pháp phun nhiệt phân và nghiên cứu ảnh hưởng của việc thay thế In lên đặc tính cấu trúc, hình thái cũng như độ rộng vùng cấm của các màng mỏng thu được nhằm tạo tiền đề cho những nghiên cứu sâu hơn để tăng hiệu suất pin mặt trời CZTS.
Tạp chí liên quan
- Thành phần hóa học và tác dụng dược lý đa dạng của Tam thất bắc Panax notoginseng
- Solid state Acidic Catalyzed Synthesis of 2-Phenylbenzoxazole = Tổng hợp 2-phenylbenzoxazole sử dụng xúc tác acid pha rắn
- Phân bố và mức độ ô nhiễm của nhôm (Al) và sắt (Fe) trong bụi đường tại thành phố Đà Nẵng
- Hội tụ theo trung bình đối với tổng có trọng số ngẫu nhiên các biến ngẫu nhiên phụ thuộc âm đôi một
- Chế tạo và tính chất quang của thủy tinh TeO2-B2O3-ZnO-Na2O pha tạp Er3+





