Nghiên cứu số về phương pháp bias điện áp sử dụng trong giảm dòng nhiệt thông tới bề mặt kim loại
Tác giả: Lê Thị Quỳnh Trang
Số trang:
Tr. 148-154
Số phát hành:
Số 04(65)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
621
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Bias điện áp, nhiệt thông, thông lượng, phương pháp mô phỏng Particle-in-cell
Chủ đề:
Điện áp
Tóm tắt:
Sử dụng mô hình mô phỏng Particle-in-Cell để nghiên cứu về việc giảm tải dòng nhiệt cao tới bề mặt kim loại bằng bias điện áp. Dòng electron và ion được bơm liên tục vào hệ và bị hấp thụ hoàn toàn tại bề mặt kim loại. Kết quả mô phỏng chỉ ra rằng, bias điện áp làm giảm thông lượng của plasma tới về mặt kim loại. Nhiệt thông của electron giảm trong khi nhiệt thông của ion lại tăng lên khi sử dụng bias điện áp âm.
Tạp chí liên quan
- Bước đầu khảo sát đặc điểm biến thể xoang tĩnh mạch sọ não trên MRI ở bệnh nhân đau đầu mạn tính
- Độ sâu xâm lấn trên cộng hưởng từ và tình trạng di căn hạch cổ ở ung thư lưỡi
- U thận chứa mỡ ở trẻ em: Báo cáo ca bệnh u quái thận nguyên phát và u nguyên bào thận dạng quái
- Đánh giá độ dày xương và mô mềm khẩu cái trên phim CBCT (Cone-Beam Computed Tomography)
- Nhận thức về vi-rút HPV của sinh viên y dược: Từ những hiểu lầm về phòng bệnh đến sự thiếu hụt kiến thức ở nam giới





