Nghiên cứu số về phương pháp bias điện áp sử dụng trong giảm dòng nhiệt thông tới bề mặt kim loại
Tác giả: Lê Thị Quỳnh Trang
Số trang:
Tr. 148-154
Số phát hành:
Số 04(65)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
621
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Bias điện áp, nhiệt thông, thông lượng, phương pháp mô phỏng Particle-in-cell
Chủ đề:
Điện áp
Tóm tắt:
Sử dụng mô hình mô phỏng Particle-in-Cell để nghiên cứu về việc giảm tải dòng nhiệt cao tới bề mặt kim loại bằng bias điện áp. Dòng electron và ion được bơm liên tục vào hệ và bị hấp thụ hoàn toàn tại bề mặt kim loại. Kết quả mô phỏng chỉ ra rằng, bias điện áp làm giảm thông lượng của plasma tới về mặt kim loại. Nhiệt thông của electron giảm trong khi nhiệt thông của ion lại tăng lên khi sử dụng bias điện áp âm.
Tạp chí liên quan
- Đánh giá tình trạng nhiễm trùng huyết tại đơn vị Ghép tế bào gốc- khoa Huyết học - bệnh viện Chợ Rẫy từ năm 2017 đến 6 tháng đầu năm 2024
- Đánh giá đáp ứng sau hóa trị tân hỗ trợ bằng phác đồ Docetaxel, Carboplatin và Trastuzumab ở bệnh nhân ung thư vú có thụ thể HER2 dương tính giai đoạn II, III
- Nghiên cứu tỉ lệ cắt tuyến phó giáp không chủ ý trong phẫu thuật cắt giáp và nạo hạch cổ nhóm vi tại Bệnh viện Ung Bướu Thành phố Hồ Chí Minh năm 2023
- Vai trò của thời gian nhân đôi thyroglobulin trong đánh giá tái phát, di căn ở bệnh nhân ung thư tuyến giáp thể biệt hóa
- Đánh giá bước đầu phẫu thuật đoạn chậu trong ung thư phụ khoa initial





