Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp MGe2N4 (M = Mo, W) bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tác giả: Võ Thị Tuyết Vi, Lê Văn Hùng, Nguyễn Thị Thắm Hồng, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu
Số trang:
Tr. 12-20
Số phát hành:
Số 04 (65)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
541
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Vật liệu hai chiều, tính chất điện tử, lý thuyết phiếm hàm mật độ
Chủ đề:
Hóa lý
Tóm tắt:
Nghiên cứu một cách chi tiết và hệ thống các đặc trưng cấu trúc và tính chất điện tử của vật liệu hai chiều MGe2N4 (M = Mo, W) bằng phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ. Đồng thời, ảnh hưởng của biến dạng cơ học lên các tính chất điện tử của vật liệu cũng sẽ được khảo sát trong bài báo này.
Tạp chí liên quan
- Đặc điểm dịch tễ học và lâm sàng của chấn thương mắt: Nghiên cứu trên 1.257 bệnh nhân nội trú tại Bệnh viện Mắt Trung ương
- Đặc điểm hành vi tự sát ở người bệnh rối loạn tâm thần và hành vi do sử dụng rượu tại Viện Sức khỏe tâm thần
- Đặc điểm kiểu hình rối loạn đông cầm máu trên ROTEM ở trẻ sơ sinh đủ tháng nhiễm khuẩn sơ sinh
- Thực trạng rối loạn giấc ngủ ở người bệnh rối loạn trầm cảm tái diễn tại Viện Sức khỏe tâm thần – Bệnh viện Bạch Mai
- Nồng độ Interleukin-6 huyết thanh, mối liên quan với mức độ nặng và kết quả điều trị ở bệnh nhân thoái hóa khớp gối nguyên phát tại Bệnh viện Đa khoa Tây Ninh





