Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp MGe2N4 (M = Mo, W) bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tác giả: Võ Thị Tuyết Vi, Lê Văn Hùng, Nguyễn Thị Thắm Hồng, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu
Số trang:
Tr. 12-20
Số phát hành:
Số 04 (65)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
541
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Vật liệu hai chiều, tính chất điện tử, lý thuyết phiếm hàm mật độ
Chủ đề:
Hóa lý
Tóm tắt:
Nghiên cứu một cách chi tiết và hệ thống các đặc trưng cấu trúc và tính chất điện tử của vật liệu hai chiều MGe2N4 (M = Mo, W) bằng phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ. Đồng thời, ảnh hưởng của biến dạng cơ học lên các tính chất điện tử của vật liệu cũng sẽ được khảo sát trong bài báo này.
Tạp chí liên quan
- Hình ảnh điểm đến ảnh hưởng đến ý định quay trở lại tỉnh Bình Thuận của du khách nội địa
- Các yếu tố tác động đến hiệu quả xanh của các doanh nghiệp tại Thành phố Hồ Chí Minh
- Phương tiện truyền thông xã hội và hiệu quả thu hút khách hàng tại Thành phố Hồ Chí Minh
- Tác động của tính bất định đến tính không minh bạch của ngân hàng thương mại Việt Nam
- Giao dịch của nhà đầu tư nước ngoài và giá trị doanh nghiệp