Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp MGe2N4 (M = Mo, W) bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tác giả: Võ Thị Tuyết Vi, Lê Văn Hùng, Nguyễn Thị Thắm Hồng, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu
Số trang:
Tr. 12-20
Số phát hành:
Số 04 (65)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
541
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Vật liệu hai chiều, tính chất điện tử, lý thuyết phiếm hàm mật độ
Chủ đề:
Hóa lý
Tóm tắt:
Nghiên cứu một cách chi tiết và hệ thống các đặc trưng cấu trúc và tính chất điện tử của vật liệu hai chiều MGe2N4 (M = Mo, W) bằng phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ. Đồng thời, ảnh hưởng của biến dạng cơ học lên các tính chất điện tử của vật liệu cũng sẽ được khảo sát trong bài báo này.
Tạp chí liên quan
- Huy động nguồn lực tài chính phát triển năng lượng hạt nhân hướng tới mục tiêu Net Zero tại Việt Nam
- Nâng cao hiệu quả kiểm toán hoạt động việc sử dụng ngân sách địa phương tại Việt Nam
- Các nhân tố ảnh hưởng đến thu hút nguồn vốn đầu tư trực tiếp nước ngoài vào địa phương cấp tỉnh
- Ảnh hưởng của vốn nhân lực đến tăng trưởng kinh tế Việt Nam
- Tác động của phát triển tài chính đến phát triển bền vững tại các quốc gia châu Á : vai trò điều tiết của đổi mới toàn cầu