Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp MGe2N4 (M = Mo, W) bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ
Tác giả: Võ Thị Tuyết Vi, Lê Văn Hùng, Nguyễn Thị Thắm Hồng, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu
Số trang:
Tr. 12-20
Số phát hành:
Số 04 (65)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
541
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Vật liệu hai chiều, tính chất điện tử, lý thuyết phiếm hàm mật độ
Chủ đề:
Hóa lý
Tóm tắt:
Nghiên cứu một cách chi tiết và hệ thống các đặc trưng cấu trúc và tính chất điện tử của vật liệu hai chiều MGe2N4 (M = Mo, W) bằng phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ. Đồng thời, ảnh hưởng của biến dạng cơ học lên các tính chất điện tử của vật liệu cũng sẽ được khảo sát trong bài báo này.
Tạp chí liên quan
- Chất lượng cuộc sống của người bệnh sau phẫu thuật thay khớp gối toàn phần tại Bệnh viện Hữu nghị Việt Đức năm 2025
- Đặc điểm dịch tễ học, lâm sàng, thực trạng sơ cứu và xử trí ban đầu bệnh nhân rắn độc cắn tại Bệnh viện Hữu nghị Đa khoa Nghệ An
- Giá trị của thang điểm Rajan's Heart Failure (R-hf) trong tiên lượng kết cục ngắn hạn ở bệnh nhân suy tim mất bù cấp
- Đánh giá chức năng gan và thận ở bệnh nhân HIV điều trị ARV tại Bệnh viện Thành phố Thủ Đức trong giai đoạn 2023-2024 và các yếu tố liên quan
- Tỷ lệ mắc và một số nguyên nhân gây tổn thương thận cấp ở trẻ sơ sinh tại trung tâm sơ sinh, Bệnh viện Nhi Trung ương