Thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon
Tác giả: Nguyễn Văn Sỹ, Đặng Quang Thiệu, Nguyễn Thanh Hùng
Số trang:
Tr. 38-43
Tên tạp chí:
Khoa học Công nghệ Việt Nam - B
Số phát hành:
Số 01
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
621
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Đầu đo nhấp nháy, mảng nhân quang silicon SiPM, tinh thể nhấp nháy CsI(Tl)
Chủ đề:
Điện--Điện tử
Tóm tắt:
Trong nghiên cứu này, một đầu đo nhấp nháy đã được phát triển bằng cách sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM - Silicon photomultiplier) nhằm thay thế cho ống nhân quang điện (PMT - Photomultiplier tube), với ưu điểm là đầu đo nhỏ gọn và tiết kiệm năng lượng. Nghiên cứu cũng đã khảo sát độ ổn định của đầu đo theo nhiệt độ môi trường hoạt động và kết quả là biên độ xung ra thay đổi rất lớn theo nhiệt độ môi trường, biên độ xung ra = giảm khi nhiệt độ môi trường tăng lên và ngược lại.
Tạp chí liên quan
- Phản ứng giải phóng hydro (HER) trên phức Zn(II)-porphine trong dung môi nước cấu trúc, tính chất điện tử và cơ chế phản ứng
- Đặc điểm chữ Hán đa âm và một số vấn đề liên quan đến dịch thuật: Trường hợp chữ “单”
- Chữ viết tiếng Ve
- Hệ thống thanh điệu tiếng Tống ở Việt Nam
- “Tiêu điểm” trong ngôn ngữ đánh giá ngoại hình tiếng Việt





