Nghiên cứu chế tạo thử nghiệm máy phát điện ma sát nano dựa trên hai vật liệu Teflon và nhôm công nghiệp
Tác giả: Phan Hải, Phan Nguyễn Hòa, Hồ Anh Trâm, Nguyễn Hữu Đức, Phạm Đức Thắng
Số trang:
Tr. 32-36
Tên tạp chí:
Khoa học Công nghệ Việt Nam - B
Số phát hành:
Số 3(Tập 64)
Kiểu tài liệu:
Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ:
03 Quang Trung
Mã phân loại:
530
Ngôn ngữ:
Tiếng Việt
Từ khóa:
Máy phát điện ma sát nano, vật liệu Teflon, nhôm công nghiệp, công nghệ năng lượng nhân tạo, máy phát điện
Chủ đề:
Máy phát điện
&
Năng lượng điện
Tóm tắt:
Nhằm nghiên cứu chế tạo thử nghiệm máy phát điện ma sát nano dựa trên hai vật liệu Teflon và nhôm công nghiệp. Máy phát nano dựa trên hiệu ứng ma sát điện là thiết bị có khả năng chuyển đổi năng lượng từ cơ năng thành điện năng nhờ sự kết hợp của hiện tượng nhiễm điện cọ sát và cảm ứng tĩnh điện. Điều này giúp mở ra một trang mới cho năng lượng nhân tạo để tiến tới chế tạo nguồn năng lượng tích hợp cho các thiết bị tự cấp nguồn, cảm biến chủ động hay thậm chí là phát triển mạng lưới năng lượng quy mô lớn. Nghiên cứu đã thử nghiệm thành công máy phát điện ma sát nano (Triboelectric nanogenerator – TENG) cấu hình tiếp xúc dọc sử dụng vật liệu Potyletrafluoroethylene (PTFE) và nhôm công nghiệp.
Tạp chí liên quan
- Đánh giá sự ảnh hưởng của quản trị nguồn nhân lực trong trạng thái chuyển đổi số tòi hiệu quả hoạt động xét dưới góc độ tài chính của doanh nghiệp nhỏ và vừa trong ngành thương mại và dịch vụ : nghiên cứu trên địa bàn Hà Nội
- Weak two-scale convergence in L2 for a two-dimensional case = Hội tụ hai-kích thước yếu trong L2 cho một trường hợp hai chiều
- Strong two-scale convergence for a two-dimensional case = Hội tụ hai-kích thước mạnh cho một trường hợp hai chiều
- Applications of Google OR-Tools in solving construction management linear optimization problems = Ứng dụng công cụ Google OR-Tools trong giải các bài toán tối ưu hóa tuyến tính trong quản lý dự án xây dựng
- Transition nodal basis functions in p-adaptive finte element methods = Hàm nút cơ sở chuyển giao dùng trong phương pháp phần tử hữu hạn thích nghi loại p





