CSDL Bài trích Báo - Tạp chí

Trở về

Ảnh hưởng biến dạng đến đường cong điện trễ của vật liệu PbTiO3 cấu trúc xốp

Tác giả: Trần Thế Quang, Nguyễn Hoàng Linh, Nguyễn Minh Sơn, Nguyễn Văn Hội, Đỗ Văn Trường
Số trang: Tr. 60-64
Số phát hành: Tập 66 - Số 3 - Tháng 3
Kiểu tài liệu: Tạp chí trong nước
Nơi lưu trữ: 03 Quang Trung
Mã phân loại: 621
Ngôn ngữ: Tiếng Việt
Từ khóa: Linh kiện điện tử, vật liệu điện, ảnh hưởng biến dạng, cấu trúc xốp, đường cong điện trễ, mô hình vỏ - lõi
Tóm tắt:

Phân cực tự phát của vật liệu sắt điện đã được ứng dụng rộng rãi trong các linh kiện điện tử như: bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên, cảm biến, bộ chuyển đổi điện. Trong các vật liệu sắt điện, PbTiO3 (PTO) là một trong những vật liệu chiếm ưu thế vì chúng có giá trị phân cực tự phát lớn và có thể hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. PTO đã được nghiên cứu ở nhiều cấu trúc khác nhau như màng mỏng (thin film), nanowire, nanodot, nanodisk, nanotube. Để làm rõ ảnh hưởng biến dạng cơ học đến đường cong điện trễ của vật liệu sắt điện PTO cấu trúc xốp, các tác giả đã khảo sát ảnh hưởng biến dạng cơ học lên vật liệu PTO cấu trúc xốp bằng cách sử dụng tính toán dựa trên mô hình vỏ - lõi.

Tạp chí liên quan